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北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件
- 分類：公司新聞
- 發(fā)布時(shí)間：2012-10-20
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【概要描述】北京大學(xué)采用嘉興科民電子公司ALD設(shè)備 (TALD-100)成功研制柵長(zhǎng)15納米的碳納米管優(yōu)越性能的CMOS器件。其中關(guān)鍵的HfO2高k柵介質(zhì)是由嘉興科民電子ALD制備，該介質(zhì)CV曲線沒(méi)有迴線，不存在短溝道效應(yīng)和漏電。
北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件
【概要描述】北京大學(xué)采用嘉興科民電子公司ALD設(shè)備 (TALD-100)成功研制柵長(zhǎng)15納米的碳納米管優(yōu)越性能的CMOS器件。其中關(guān)鍵的HfO2高k柵介質(zhì)是由嘉興科民電子ALD制備，該介質(zhì)CV曲線沒(méi)有迴線，不存在短溝道效應(yīng)和漏電。
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北京大學(xué)采用嘉興科民電子公司ALD設(shè)備 (TALD-100)成功研制柵長(zhǎng)15納米的碳納米管優(yōu)越性能的CMOS器件。其中關(guān)鍵的HfO2高k柵介質(zhì)是由嘉興科民電子ALD制備，該介質(zhì)CV曲線沒(méi)有迴線，不存在短溝道效應(yīng)和漏電。TALD-100是由美國(guó)硅谷專家和中科院專家聯(lián)合研發(fā)，設(shè)備內(nèi)腔采用SiC高集成設(shè)計(jì)，前驅(qū)體源消耗只是通常的20%，可低溫生長(zhǎng)各種高質(zhì)量薄膜。
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